我们知道陶瓷电容是指用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器，它分为高频瓷介和低频瓷介两种。而陶瓷电容是会受到热循环影响的，那么受热循环影响之后的损耗角正切值D会怎样变化呢？
以102陶瓷电容为例做实验，在热循环试验(周期为300秒)下，经不同次数热循环后，102陶瓷电容的室温损耗角正切值D如下图所示。
在热循环试验(周期为300秒)下，102陶瓷电容的耗角正切值D随循环次数的变化曲线如下，在热循环制度三中，陶瓷电容的损耗角正切值D与热循环次数呈线性函数变化关系。
从上面的实验可以看出：陶瓷电容在热循环降温阶段，随着温度的下降，其损耗角正切D值D是单调递增的;在加热阶段，随着温度的升高，其损耗角正切值D是单调递减的。随着热循环次数的增加，陶瓷电容器的损耗角正切值D是增加的，其变化符合线性函数的变化规律。
如您还有其它技术上的疑问可联系我们，我们竭力为您解决。东莞市瓷谷电子制造安规电容，独石电容，压敏电阻，薄膜电容，更多品质电容尽在CG。可以免费提供样品测试，期待您的莅临。以上资讯来自东莞市瓷谷电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步至网站中瓷谷资讯中获取。
本文由陶瓷电容器厂家瓷谷电子科技为您整理分享了解更多，可登陆http://www.tcdrq.com
积层陶瓷电容在汽车电控单元的应用:http://gdcigu.0duw.com/news/itemid-3986055.shtml