多层瓷介电容器具有体积小，介电常数高，化学稳定性好，损耗小等优点，广泛应用于通信、汽车电子、消费数码等领域。近年来科学技术、国防工业和民用工业的发展，对多层瓷介电容器的可靠性提出了更高的要求。因而其失效模式、机理和预防措施越来越受到关注。所以小编我总结了多层瓷介电容器的各种失效模式，希望能对大家有所帮助。
多层瓷介电容器的失效模式和失效机理众多，按照电参数表现来看，失效模式可以分为三种，即开路、短路和电参数漂移。常见的就是电参数漂移，这其中又包括了电容量的变化、损耗的变化和绝缘电阻的变化，三个参数中为灵敏的电参数为损耗值和绝缘电阻值，只要表现出了失效，其损耗值或绝缘电阻值都或多或少出现不同程度的漂移，因此考察损耗值和绝缘电阻值对于评判多层瓷介电容器的失效状态具有重要意义。
短路的失效模式较为常见，通常表现为两个端电极间的电阻值明显下降至欧姆或者毫欧姆的数量级，这种失效模式大多与过电有关系。开路的失效模式比较少见，主要有两种情况，一种情况是经历了严重的过电后，致使内部电极间或者端电极与内电极间烧毁形成开路；另外一种情况是某种应力致使端电极与内电极间因为过应力出现裂纹、开裂，导致电极间电连接不好形成开路，此种失效多数和电容本身的质量有关。
以上就是多层瓷介电容器的失效模式分析，希望能帮到您。东莞市瓷谷电子制造安规电容，压敏电阻，独石电容，薄膜电容，涤纶电容，高压电容，更多品质电容尽在CG。以上资讯来自东莞市瓷谷电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步至网站中瓷谷资讯中获取。
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