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压敏电阻是电压灵敏电阻器的简称，是一种非线性电阻元件。压敏电阻阻值与两端施加的电压大小有关，当加到压敏电阻器上的电压在其标称值以内时，电阻器的阻值呈现无穷大状态，几乎无电流通过。当压敏电阻器两端的电压略大于标称电压时，压敏电阻迅速击穿导通，其阻值很快下降，使电阻器处于导通状态。当电压减小至标称电压以下时，其阻值又开始增加，压敏电阻又恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端的电压超过其大控制电压时，它将完全击穿损坏，无法自行恢复。

以我们测试的10D471为例，在2000A冲击电流下不同温度的试验数据显示在200℃以下时上升区的控制电压不受温度的影响，说明这时电流仍然起决定作用。由热激发电流和势垒降低对压敏电压、非线性和击穿区控制电压的影响来看,在400℃以下上升区的控制电压都不会受到温度影响。

因为上升区的控制电压受势垒和晶粒电阻的同时影响P，晶粒的半导体特性应是温度升高电阻率降低，其作用是控制电压降低，由200C℃以下时上升区的控制电压不受温度的影响的事实说明，在温度不是非常高时,温度对晶粒电阻是没有影响的，这应是其本征激发直至很高温度时都不能和杂质与问题激发的载流子相比拟，而杂质与问题在室温时已完全激发所以晶粒电阻率在很高温时还维持稳定。

也就是说，从现在产品大峰值电流冲击水平来看,整个冲击过程中晶粒温升都不会超过200℃，所以冲击本身也不会引起晶粒电阻变化对控制电压的影响。冲击本身也不会引起晶粒电阻变化对控制电压的影响，10D471连续两次冲击后温升超过70℃，高低温中多次冲击的结果表明，控制电压也无变化，由此可以推断在300C℃以下晶粒电阻不发生变化，不会因晶粒电阻引起上升区的控制电压的变化。在不超过300℃到400℃时，上升区的控制电压不受温度影响，在500℃时的势垒突降可能会引起上升区控制电压的明显降低。

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